STUDY OF B+-IMPLANTED HgCdTe UNDER RAPID THERMAL ANNEALING
B+注入HgCdTe快速热退火的研究

借助二次离子质谱和俄歇电子能谱对B+注入HgCdTe有无ZnS膜包封在快速热退火条件下表层的Hg损失进行了深入的分析-快速热退火温度为300，350和400℃，退火时间为10s-ZnS膜厚度为160nm-结果表明，300℃，10s快速热退火后，有ZnS膜包封的HgCdTe表层没有Hg损失-对B+注入HgCdTe N+-P结快速热退火工艺流程进行了优化-结果表明，快速热退火放在光刻金属电极之后进行，可以改善结的特性-