%0 Journal Article
%T STUDY OF B+-IMPLANTED HgCdTe UNDER RAPID THERMAL ANNEALING<br>B+注入HgCdTe快速热退火的研究
%A LIU JIA-LU
%A ZHANG TING-QING
%A FENG JIAN-HUA
%A ZHOU GUAN-SHAN
%A YING MING-JIONG
%A <br>刘家璐
%A 张廷庆
%A 冯建华
%A 周冠山
%A 应明炯
%J 物理学报
%D 1998
%I 
%X 借助二次离子质谱和俄歇电子能谱对B+注入HgCdTe有无ZnS膜包封在快速热退火条件下表层的Hg损失进行了深入的分析-快速热退火温度为300，350和400℃，退火时间为10s-ZnS膜厚度为160nm-结果表明，300℃，10s快速热退火后，有ZnS膜包封的HgCdTe表层没有Hg损失-对B+注入HgCdTe N+-P结快速热退火工艺流程进行了优化-结果表明，快速热退火放在光刻金属电极之后进行，可以改善结的特性-
%K 硼离子
%K 离子注入
%K 碲镉汞
%K 工艺优化
%K 快速热退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CE7EBDE17DD089B7B15A0387F0408688&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=F4B561950EE1D31A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=F4B561950EE1D31A&eid=286FB2D22CF8D013&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0