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ISSN: 2333-9721
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物理学报  1999 

PROPERTIES OF a-SiCxNy
反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性

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Abstract:

利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜(a-SiCxNy∶H),通过红外透射谱(IR),光吸收谱[α(λ)],电子自旋共振谱(ESR)和电导率(σ)等测试手段,研究了薄膜的结构和光电特性.在固定甲烷流量γCH4=3%,氢气流量γH2=12%的情况下,改变氮气流量γN2=(0—14)%,综合研究了暗电导率σd<

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