%0 Journal Article
%T PROPERTIES OF a-SiCxNy<br>反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性
%A WU XIAN-CHENG
%A WANG YIN-YUE
%A <br>吴现成
%A 王印月
%J 物理学报
%D 1999
%I 
%X 利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜(a-SiCxNy∶H)，通过红外透射谱(IR)，光吸收谱［α(λ)］，电子自旋共振谱(ESR)和电导率(σ)等测试手段，研究了薄膜的结构和光电特性.在固定甲烷流量γCH4=3%，氢气流量γH2=12%的情况下，改变氮气流量γN2=(0—14)%，综合研究了暗电导率σd<
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=201C8BB8574FDE84&yid=B914830F5B1D1078&vid=B6DA1AC076E37400&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=03A030BB0C519C60&eid=12DC19455C3A2FA8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0