金刚石薄膜的光学透射率研究

以直流偏压增强的微波等离子体化学汽相淀积（ＣＶＤ）为成核手段，在未经金刚石粉研磨处理的抛光硅片上获得了１０＾１０ｃｍ＾－２的金刚石高密度成核。在成核条件相同的情况下，研究了微波等离子体ＣＶＤ生长金刚石薄膜工艺中甲烷浓度ｎ、衬底温度Ｔ、沉积气压Ｐ等生长参数对薄膜透射率有明显影响，而沉积气压的影响不大。同时，对于在ｎ＝０．７％，Ｔ＝８４０℃，Ｐ＝２０Ｔｏｒｒ条件下生长的厚度为０．８５μｍ的金刚石薄膜样