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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2000 

ELECTRONIC PROPERTIES OF InSb(211)A,B SURFACES
InSb(211)A,B表面电子结构特性

Keywords: 锑化铟,半导体,表面,电子结构

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Abstract:

采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道特性和色散特性;并在此基础上讨论了两类表面的稳定性;计算结果和实验结果定性的相符合.

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