%0 Journal Article
%T ELECTRONIC PROPERTIES OF InSb(211)A,B SURFACES<br>InSb(211)A,B表面电子结构特性
%A JIA YU
%A CHEN GUO-JIAN
%A MA BING-XIAN
%A HU XING
%A GU HUA-WEI
%A LI XIN-JIAN
%A <br>贾瑜
%A 马丙现
%A 胡行
%A 顾华伟
%A 李新建
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道特性和色散特性;并在此基础上讨论了两类表面的稳定性;计算结果和实验结果定性的相符合.
%K 锑化铟
%K 半导体
%K 表面
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6F77FA8171E72BF58D0C28D547CED315&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=3C6F5C97A07587AE&eid=892C6E385D640C1E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=12