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物理学报 1998
ORIENTED GROWTH OF LiNbO3 THIN FILMS ON AMORPHOUS SUBSTRATES IN A LOW ELECTRIC FIELD
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Abstract:
报道了外加低电场和衬底温度对脉冲激光淀积法制备的LiNbO3薄膜取向的影响.在衬底温度为600℃和外加电场为7V/cm的条件下，在石英玻璃等非晶态衬底上获得了完全(001)取向的LiNbO3薄膜.在对具有自发极化的LiNbO3在电场作用下成核生长机制和温度对LiNbO3自发极化强度的影响进行分析的基础上，给出了低电场诱导铁电薄膜取向生长的物理依据.
