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物理学报 1988
THE HALL EFFECT IN RF-SPUTTERED IRON OXIDE THIN FILMS
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Abstract:
在磁场垂直于薄膜表面,磁感应强度B由0—1.4T变化的条件下,测量了溅射氧化铁薄膜的Hall效应。从实验数据得到了Fe3O4薄膜和γ-Fe2O3薄膜的寻常Hall系数R0和非常Hall系数Rs,计算出这两种薄膜的Hall迁移率μH分别是2.35和1.56(cm)2/V·s。这个结果适合于大极化子导电机制的条件(ν≥1(cm)
