%0 Journal Article
%T THE HALL EFFECT IN RF-SPUTTERED IRON OXIDE THIN FILMS<br>溅射氧化铁薄膜的Hall效应
%A YOU GUANG-JIAN
%A YU MEI
%A LUO HUI-LIN
%A <br>尤广建
%A 余梅
%A 罗惠临
%J 物理学报
%D 1988
%I 
%X 在磁场垂直于薄膜表面,磁感应强度B由0—1.4T变化的条件下,测量了溅射氧化铁薄膜的Hall效应。从实验数据得到了Fe3O4薄膜和γ-Fe2O3薄膜的寻常Hall系数R0和非常Hall系数Rs,计算出这两种薄膜的Hall迁移率μH分别是2.35和1.56(cm)2/V·s。这个结果适合于大极化子导电机制的条件(ν≥1(cm)
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2E7BAB87BFCA42F1015219E0CFC88CF6&yid=0702FE8EC3581E51&vid=42425781F0B1C26E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=9A37456714612989&eid=EBACC21D715FEBD7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0