立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型

利用文献1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。