%0 Journal Article
%T 立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型
%A 茅德强
%A 任尚元
%A 李名复
%J 物理学报
%D 1986
%I 
%X 利用文献1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=3683785012D26BD23C59F9124BEF914B&yid=4E65715CCF57055A&vid=6209D9E8050195F5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=15890B67B1F0B7E7&eid=A9C78B2A6AAEEAAD&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0