DETERMINATION OF THE GAP STATE DISTRIBUTION IN a-Si:H BY THE METHOD OF INTERNAL PHOTOEMISSION TRANSIENT CURRENT TEMPERATURE SPECTROSCOPY
用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布

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Abstract:

本文提出了一种新的研究a-Si:H隙态密度分布的方法——内光发射瞬态电流温度谱。利用这种方法,我们测量了辉光放电制备的a-Si:H材料的隙态密度分布。所得结果在结构上与通常的场效应法结果相似,但在数值上比场效应法结果约小一到两个数量级。

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