%0 Journal Article
%T DETERMINATION OF THE GAP STATE DISTRIBUTION IN a-Si:H BY THE METHOD OF INTERNAL PHOTOEMISSION TRANSIENT CURRENT TEMPERATURE SPECTROSCOPY<br>用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布
%A SU ZI-MIN
%A PENG SHAO-QI
%A <br>苏子敏
%A 彭少麒
%J 物理学报
%D 1986
%I 
%X 本文提出了一种新的研究a-Si:H隙态密度分布的方法——内光发射瞬态电流温度谱。利用这种方法,我们测量了辉光放电制备的a-Si:H材料的隙态密度分布。所得结果在结构上与通常的场效应法结果相似,但在数值上比场效应法结果约小一到两个数量级。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=AD783D9F0B8B03F9EFED413C915C3938&yid=4E65715CCF57055A&vid=6209D9E8050195F5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=507521DBC725630F&eid=3EE58D91F4253193&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0