DETERMINATION OF SUPERCONDUCTING ENERGY GAP OF HEAVILY DOPED Re THIN FILMS BY ELECTRON TUNNELING
用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定重掺杂Re膜的超导能隙

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Abstract:

用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定了重掺杂Re膜的超导能隙,△0=(1.04±0.02)meV,2△0/kTc=3.31±0.04。△0值是用电导极大值法确定的。结果表明,杂质使Re膜的Tc与能隙△0增加了许多倍,但是Re仍然属于弱耦合超导体。

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