STUDY OF Si SOI OPTICAL PROPERTIES BY USING ELLIPSOMETRIC FOUR-PHASE MODEL
用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质

用椭圆偏振光谱仪在波长为3000到5000?范围内,测量了绝缘衬底上低压CVD生长的多晶Si薄膜(LPCVD Si SOI)及其激光退火和高频感应高温石墨棒热退火后的椭圆偏振光谱参数。以矩阵乘积形式表示了椭偏光谱四相模型,用Monte Carlo统计模拟法求得Si SOI表面多晶Si薄膜的光学参数ε1和ε2,并对退火后出Si SOI的晶格完整性进行了讨论。