%0 Journal Article
%T STUDY OF Si SOI OPTICAL PROPERTIES BY USING ELLIPSOMETRIC FOUR-PHASE MODEL<br>用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质
%A ZHU WEI-WEN
%A ZHU WEN-YU
%A WANG WEI-YUAN
%A <br>朱蔚雯
%A 朱文玉
%A 王渭源
%J 物理学报
%D 1986
%I 
%X 用椭圆偏振光谱仪在波长为3000到5000?范围内,测量了绝缘衬底上低压CVD生长的多晶Si薄膜(LPCVD Si SOI)及其激光退火和高频感应高温石墨棒热退火后的椭圆偏振光谱参数。以矩阵乘积形式表示了椭偏光谱四相模型,用Monte Carlo统计模拟法求得Si SOI表面多晶Si薄膜的光学参数ε1和ε2,并对退火后出Si SOI的晶格完整性进行了讨论。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C4039A77AA8475FF4F15AAB328954CC6&yid=4E65715CCF57055A&vid=6209D9E8050195F5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=97747634025A5F36&eid=4AB2A4AB67F2B16E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0