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Keywords: 离子注入,硅,缺陷,高能,重离子
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以文献10]中作者系统研究离子注入Si中缺陷形成判据为基础,研究多种高能重离子的注入和退火行为,提出一种简便和有效抑制二次缺陷形成的新方法.
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