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ISSN: 2333-9721
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物理学报  1996 

β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构

Keywords: 氮化硅,能带结构,半导体

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Abstract:

采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV。对于β-C3N4,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si3N4

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