%0 Journal Article
%T β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构
%A 段玉华
%A 张开明
%A 谢希德
%J 物理学报
%D 1996
%I 
%X 采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV。对于β-C3N4,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si3N4
%K 氮化硅
%K 能带结构
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7411BF4698E837347642E7248D7F9243&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=94E7F66E6C42FA23&iid=38B194292C032A66&sid=D8AE57480552698F&eid=5A751AE9FA58A3FB&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=5