BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型的应用
Keywords: 陶瓷半导体,PTC,边界层电容效应,钛酸钡
Abstract:
对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了BaTiO3半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对BaTiO3半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为BaTiO3半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础
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