%0 Journal Article
%T BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型的应用
%A 郑振华
%A 陈羽
%A 缪容之
%J 物理学报
%D 1996
%I 
%X 对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了BaTiO3半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对BaTiO3半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为BaTiO3半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础
%K 陶瓷半导体
%K PTC
%K 边界层电容效应
%K 钛酸钡
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7411BF4698E837346C8B007BA3844C42&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=94E7F66E6C42FA23&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=815F249353800F81&eid=617DEAEB2884AFC7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=6