振子强度密度理论研究——类锂离子3s态到p通道跃迁振子强度密度

以类锂离子3s态到p通道光跃迁为例,在单通道理论框架下统一处理从一个初态(3s)到一个通道(p通道)中无数个激发态(包括束缚态np和连续态εp)的光跃迁过程。具体地根据相对论性和非相对论性原子自洽场理论,分别计算了类锂离子3s态到p通道跃迁的有关振子强度密度,阐明了其相对论效应以及振子强度密度随原子序数变化的标度规律。根据本文所计算的振子强度密度,可方便地获得3s跃迁至所有np束缚激发态的振子强度。