%0 Journal Article
%T 振子强度密度理论研究——类锂离子3s态到p通道跃迁振子强度密度
%A 刘磊
%A 李家明
%J 物理学报
%D 1993
%I 
%X 以类锂离子3s态到p通道光跃迁为例,在单通道理论框架下统一处理从一个初态(3s)到一个通道(p通道)中无数个激发态(包括束缚态np和连续态εp)的光跃迁过程。具体地根据相对论性和非相对论性原子自洽场理论,分别计算了类锂离子3s态到p通道跃迁的有关振子强度密度,阐明了其相对论效应以及振子强度密度随原子序数变化的标度规律。根据本文所计算的振子强度密度,可方便地获得3s跃迁至所有np束缚激发态的振子强度。
%K 振子强度密度
%K 类锂离子
%K 跃迁
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DE574F04278B50ABB561EFB298794F5E&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=ECE8E54D6034F642&iid=59906B3B2830C2C5&sid=8080149E52358D01&eid=A9446C2BAF45F2AA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11