INVESTIGATION OF AMPHOTERIC BEHAVIOR OF SILICON IMPLANTED INTO InP
磷化铟中离子注入硅的双性行为研究

本文研究了热靶条件下注Si+的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si+单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P+注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si+的磷化铟中存在Sip-Vp络合物缺陷,共P+注入能抑制其形成,表明Si+注入磷化铟中呈双性行为,还对Si++P