%0 Journal Article
%T INVESTIGATION OF AMPHOTERIC BEHAVIOR OF SILICON IMPLANTED INTO InP<br>磷化铟中离子注入硅的双性行为研究
%A SHEN HONG-LIE
%A YANG GEN-QING
%A ZHOU ZU-YAO
%A ZOU SHI-CHANG
%A <br>沈鸿烈
%A 杨根庆
%A 周祖尧
%A 邹世昌
%J 物理学报
%D 1991
%I 
%X 本文研究了热靶条件下注Si+的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si+单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P+注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si+的磷化铟中存在Sip-Vp络合物缺陷,共P+注入能抑制其形成,表明Si+注入磷化铟中呈双性行为,还对Si++P
%K 磷化铟
%K 离子注入
%K 硅
%K 双性行为
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=BD52BFFDA9CF99392D9DC4EE8D4B6999&yid=116CB34717B0B183&vid=1371F55DA51B6E64&iid=38B194292C032A66&sid=DA4893B5F9885621&eid=BE5DBC360CD4FFB9&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2