BORON DIFFUSION IN B-DOPED a-SiC:H/UNDOPED a-Si:H HETEROJUNCTIONS
B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散

本文用 11B(p,a)8 Be(Er=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了分析。