%0 Journal Article
%T BORON DIFFUSION IN B-DOPED a-SiC:H/UNDOPED a-Si:H HETEROJUNCTIONS<br>B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散
%A ZHANG FANG-QING
%A HE DE-YAN
%A SONG ZHI-ZHONG
%A KE NING
%A CHEN GUANG-HUA
%A <br>张仿清
%A 贺德衍
%A 宋志忠
%A 柯宁
%A 陈光华
%J 物理学报
%D 1990
%I 
%X 本文用 11B(p,a)8 Be(Er=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了分析。
%K B
%K a－SiC：H
%K 掺杂
%K 异质结
%K 扩散
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=526D4AD2BBC60135EABD77D1C5C09BA2&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=7C3A4C1EE6A45749&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3F3D540C9B7906DE&eid=0702FE8EC3581E51&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2