THE CONDUCTION PROPERTIES OF ELECTRONS IN CeBi UNDER PRESSURE
压力下的CeBi电子传导特性

在4.2—273K温区内,0—18kbar压强下,测量了CeBi单晶的电阻率。实验表明,尼尔温度随压强增大而增大,且温度T>TN后,磁性电阻率ρs与lnΤ成正比。计及p-f作用,我们用Anderson模型计算了与压强有关的CeBi磁性电阻率,并将计算结果与实验比较。结果表明,4f电子能级与费密能级的距离随压强增大而减小,压强增大导致p-f作用的增强。