%0 Journal Article
%T THE CONDUCTION PROPERTIES OF ELECTRONS IN CeBi UNDER PRESSURE<br>压力下的CeBi电子传导特性
%A JIN BIAN-JUN
%A HUANG TONG-KAI
%A ZHONG FAN
%A MENG RU-LING
%A <br>金汴骏
%A 黄桐凯
%A 钟凡
%A 蒙如玲
%J 物理学报
%D 1987
%I 
%X 在4.2—273K温区内,0—18kbar压强下,测量了CeBi单晶的电阻率。实验表明,尼尔温度随压强增大而增大,且温度T>TN后,磁性电阻率ρs与lnΤ成正比。计及p-f作用,我们用Anderson模型计算了与压强有关的CeBi磁性电阻率,并将计算结果与实验比较。结果表明,4f电子能级与费密能级的距离随压强增大而减小,压强增大导致p-f作用的增强。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=1588FB375C54011D0553AD0AFF13300A&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=933658645952ED9F&iid=38B194292C032A66&sid=0C3F9E980968AF79&eid=4AD4BA66429F5627&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0