Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究
杨宇,
卢学坤,
黄大鸣,
蒋最敏,
杨敏,
章怡,
龚大卫,
陈祥君,
胡际璜,
张翔九,
赵国庆
Keywords: 硅锗合金,量子阱,发光材料,特性,分子束外延
Abstract:
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
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