%0 Journal Article
%T Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究
%A 杨宇
%A 卢学坤
%A 黄大鸣
%A 蒋最敏
%A 杨敏
%A 章怡
%A 龚大卫
%A 陈祥君
%A 胡际璜
%A 张翔九
%A 赵国庆
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
%K 硅锗合金
%K 量子阱
%K 发光材料
%K 特性
%K 分子束外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C32C1E2BD653651E83&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=342E193BAB6B28C5&eid=15A3E3A739C4EF3F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=4