ELECTRICAL PROPERTIES OF WSix/Si(111)FILMS BY MULTILAYER SPUTTERING
多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉx／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉx薄膜中Ｗ5Ｓｉ3四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。