%0 Journal Article
%T ELECTRICAL PROPERTIES OF WSix/Si(111)FILMS BY MULTILAYER SPUTTERING<br>多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究
%A WANG XIAO-PING
%A ZHAO TE-XIU
%A LIU HONG-TU
%A SHI YI-SHENG
%A WENG HUI-MIN
%A GUO XUE-ZHE
%A <br>王晓平
%A 赵特秀
%A 刘宏图
%A 施一生
%A 翁惠民
%A 郭学哲
%J 物理学报
%D 1994
%I 
%X 利用多层溅射技术制备了ＷＳｉx／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉx薄膜中Ｗ5Ｓｉ3四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。
%K 硅化钨
%K 薄膜
%K 溅射
%K 电阻率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2BC04F7FEA408E80CB16C941048416A3&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=94C357A881DFC066&sid=CE504F5B1E192581&eid=E0FF0FB27B45F84E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2