MOTION OF ISOLATED DISLOCATIONS IN SILICON CRYSTALS
硅晶体中单个位错的运动

本文利用化学浸蚀方法,在400—900℃的温度范围内,在0.35—13kg·mm-2的应力条件下,测量了硅晶体中单个位错的运动速度。实验结果表明,位错运动速度V(τ,T)作为温度(T)和分解切应力(τ)的函数,满足如下方程:V(τ,T)=Aτme-Q/(KT)。式中m=1.02—1.49,Q=1.96—2.07eV。最后,把实验结果与扩展位错的弯结模型作了比较。