%0 Journal Article
%T MOTION OF ISOLATED DISLOCATIONS IN SILICON CRYSTALS<br>硅晶体中单个位错的运动
%A BA TU
%A HE YI-ZHEN
%A <br>巴图
%A 何怡贞
%J 物理学报
%D 1980
%I 
%X 本文利用化学浸蚀方法,在400—900℃的温度范围内,在0.35—13kg·mm-2的应力条件下,测量了硅晶体中单个位错的运动速度。实验结果表明,位错运动速度V(τ,T)作为温度(T)和分解切应力(τ)的函数,满足如下方程:V(τ,T)=Aτme-Q/(KT)。式中m=1.02—1.49,Q=1.96—2.07eV。最后,把实验结果与扩展位错的弯结模型作了比较。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCF02BBE79DA1A10&yid=E56875464B1C0EC1&vid=771469D9D58C34FF&iid=B31275AF3241DB2D&sid=6CDD207A90CE1EEC&eid=703F3C1B6594BA64&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0