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Keywords: 反应溅射,a-SiGe:H,薄膜,热缺陷
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本文通过电导率σ(T)和异质结电容-电压关系(C-V)的测量,研究了反应溅射制备的a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷。
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