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ISSN: 2333-9721
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物理学报  1963 

用浸蚀法显示钼单晶中的位错线与网络

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在前文中,我们已经报导过用浸蚀法在钼晶体的(001)面上显示位错蚀斑的初步结果。这里我们对于用浸蚀法在(111)面上显示位错线的初步结果作一简报。 在本工作中所采用的电解浸蚀剂和抛光剂完全相同,即甲醇、硫酸、盐酸的混合液(其容积比为30:6:13),差别只在于电解的条件。当电压为8伏,电流密度力0.4安/厘米~2时,起抛光的作用;当电压为2.5伏,电流密度为80毫安/厘米~2时,就起浸蚀的作用。

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