%0 Journal Article
%T 用浸蚀法显示钼单晶中的位错线与网络
%A 冯端
%A 闵乃本
%A 李齐
%J 物理学报
%D 1963
%I 
%X 在前文中,我们已经报导过用浸蚀法在钼晶体的(001)面上显示位错蚀斑的初步结果。这里我们对于用浸蚀法在(111)面上显示位错线的初步结果作一简报。 在本工作中所采用的电解浸蚀剂和抛光剂完全相同,即甲醇、硫酸、盐酸的混合液(其容积比为30:6:13),差别只在于电解的条件。当电压为8伏,电流密度力0.4安/厘米~2时,起抛光的作用;当电压为2.5伏,电流密度为80毫安/厘米~2时,就起浸蚀的作用。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=66C9F6AD873BE42C&yid=49BEA5698E310F48&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=D93AD940782892D0&eid=DA4893B5F9885621&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0