THE INFLUENCE OF O2 ON THE ELECTRONIC STRUCTURE OF CLEAN AND ION SPUTTERED SURFACES OF 2H-MoS2(0001)
O2的化学吸附对2H—MoS2(0001)清洁表面和离子溅射表面电子结构的影响

利用低能N+(0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS2(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向EF移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d(z2)带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O2吸附活性,O2吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。