%0 Journal Article
%T THE INFLUENCE OF O2 ON THE ELECTRONIC STRUCTURE OF CLEAN AND ION SPUTTERED SURFACES OF 2H-MoS2(0001)<br>O2的化学吸附对2H—MoS2(0001)清洁表面和离子溅射表面电子结构的影响
%A HU YONG-JUN
%A LIN ZHANG-DA
%A WANG CHANG-HENG
%A XIE KAN
%A <br>胡永军
%A 林彰达
%A 王昌衡
%A 谢侃
%J 物理学报
%D 1986
%I 
%X 利用低能N+(0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS2(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向EF移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d(z2)带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O2吸附活性,O2吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=16F7793CC871A21B48F43A0EE4ECF996&yid=4E65715CCF57055A&vid=6209D9E8050195F5&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=771152D1ADC1C0EB&eid=11B4E5CC8CDD3201&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0