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物理学报 1985
A MODEL OF OHMIC CONTACT OF GaAs AND OTHER SEMICONDUCTOR
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Abstract:
n型GaAs欧姆接触的比接触电阻ρc与有源层浓度ND有反比关系,这已为很多实验事实所证明。文献中对这一现象有各种解释。本文对文献中的各种解释模型进行了分析,指出不足之处。提出ρc应由两部分ρ(c1)和ρ(c2)组成。ρ(c1)是合金与其下在合金化后形成的高掺杂层间的比接触电阻。此外,在这高掺杂层与原来有源层间有
