%0 Journal Article
%T A MODEL OF OHMIC CONTACT OF GaAs AND OTHER SEMICONDUCTOR<br>GaAs及其它半导体欧姆接触模型
%A WU DING-FEN
%A WANG DE-NING
%A <br>吴鼎芬
%A 王德宁
%J 物理学报
%D 1985
%I 
%X n型GaAs欧姆接触的比接触电阻ρc与有源层浓度ND有反比关系,这已为很多实验事实所证明。文献中对这一现象有各种解释。本文对文献中的各种解释模型进行了分析,指出不足之处。提出ρc应由两部分ρ(c1)和ρ(c2)组成。ρ(c1)是合金与其下在合金化后形成的高掺杂层间的比接触电阻。此外,在这高掺杂层与原来有源层间有
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=40CC5205459F4E13FC1ADECAAC05FA37&yid=74E41645C164CD61&vid=339D79302DF62549&iid=38B194292C032A66&sid=2E01F39B6CBD53DE&eid=9D9F10A828991FA6&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0