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精确测量P—N结的深度,在杂质扩散过程的研究和器件制造工艺上是一项重要的工作。对于硅的扩散P—N结的深度,一般以采用磨角、染色或镀铜显示P—N结的位置后,再用干涉仪进行测量为最准确。该法要求在已经显示出结位置的硅片上有镜面光亮的表面,才能观察到干涉条纹。本文提出一种新的染色法,它能够在镜面光亮的硅片表面上,准确地显示出单P—N结和双P—N结的位置,而不损坏进行干涉显微镜测量所必需的表面条件。
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