%0 Journal Article
%T 显示硅的扩散P-N结的位置的一种方法
%A 黄景森
%J 物理学报
%D 1964
%I 
%X 精确测量P—N结的深度,在杂质扩散过程的研究和器件制造工艺上是一项重要的工作。对于硅的扩散P—N结的深度,一般以采用磨角、染色或镀铜显示P—N结的位置后,再用干涉仪进行测量为最准确。该法要求在已经显示出结位置的硅片上有镜面光亮的表面,才能观察到干涉条纹。本文提出一种新的染色法,它能够在镜面光亮的硅片表面上,准确地显示出单P—N结和双P—N结的位置,而不损坏进行干涉显微镜测量所必需的表面条件。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=1532516BBD72E327&yid=29B68C6EE36B014B&vid=A04140E723CB732E&iid=38B194292C032A66&sid=C1B34927D429E92F&eid=03E56C113B4E5A88&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0