n型简单半导体跳跃式导电的磁阻

近年来,Mikoshiba等人在理论上对低温下低掺杂半导体跳跃式导电的磁阻进行了讨论。他们假定杂质是均匀分布的,并且,对方向平均时乘上了施主对与电流夹角的余弦平方。这样,得到纵磁阻和横磁阻不相同的结论。但是,实际上杂质是无规分布的,所以电导不是简单地决定于杂质的平均间距;从跳跃式导电机构的观点来看,对方向平均也不应该乘上余弦平方。