%0 Journal Article
%T n型简单半导体跳跃式导电的磁阻
%A 陈玉连
%A 霍裕平
%J 物理学报
%D 1964
%I 
%X 近年来,Mikoshiba等人在理论上对低温下低掺杂半导体跳跃式导电的磁阻进行了讨论。他们假定杂质是均匀分布的,并且,对方向平均时乘上了施主对与电流夹角的余弦平方。这样,得到纵磁阻和横磁阻不相同的结论。但是,实际上杂质是无规分布的,所以电导不是简单地决定于杂质的平均间距;从跳跃式导电机构的观点来看,对方向平均也不应该乘上余弦平方。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=39310D298A4ADA38&yid=29B68C6EE36B014B&vid=A04140E723CB732E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=F7C51083F4D893E5&eid=55C36125E841856F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0