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物理学报 1982
ELECTROLYTE ELECTROREFLECTANCE (EER) SPECTROSCOPY OF ION IMPLANTED SILICON LAYER
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Abstract:
结合剥层技术,对略高于临界剂量的P+注入p-Si层,进行了电解液电场调制反射(以下简称EER)光谱研究,对非均匀的结构无序材料的光学测量,提出采用“特效波长”的建议,硅的这一波长是E1,E1+△1能区的349O?(hω≈3.55eV),c-Si和α-Si对3490?光波的吸收系数均等于106cm-1,将((△R)/R)3.55ev按深度x的分布同无序度的