A STUDY OF PROTON IMPLANTATION FOR GaAs
砷化镓中质子注入之研究

本文中,我们研究了砷化镓中质子注入及退火恢复过程。实验用晶向<100>偏1—3°,掺Sn 5×1017-1×1018cm-3的单晶,室温下质子注入,注入能量E约8×104—2×106eV,用A-B腐蚀剂对注入质子样品的解理面显结,测得质子注入高阻层的纵向深度xj和径向扩展xL与注入能量E的定量关系。然后,对注入质子样品,在150—800℃下退火5分钟,用双晶衍射仪研究了样品的应变恢复过程,在静电计上测量了高阻阻值随退火温度的变化。根据实验结果,讨论了砷化镓中质子注入的射程Rp,电子阻止本领Sn(E)和核阻止本领Se(E),以及质子注入形成高阻和退火恢复的机理。