%0 Journal Article
%T A STUDY OF PROTON IMPLANTATION FOR GaAs<br>砷化镓中质子注入之研究
%A WANG WEI-YUAN
%A XU JING-YANG
%A NI QI-MIN
%A TAN RU-HUAN
%A LIU YUE-QIN
%A QIU YUE-YING
%A <br>王渭源
%A 徐景阳
%A 倪企民
%A 谭儒环
%A 刘月琴
%A 邱月英
%J 物理学报
%D 1979
%I 
%X 本文中,我们研究了砷化镓中质子注入及退火恢复过程。实验用晶向<100>偏1—3°,掺Sn 5×1017-1×1018cm-3的单晶,室温下质子注入,注入能量E约8×104—2×106eV,用A-B腐蚀剂对注入质子样品的解理面显结,测得质子注入高阻层的纵向深度xj和径向扩展xL与注入能量E的定量关系。然后,对注入质子样品,在150—800℃下退火5分钟,用双晶衍射仪研究了样品的应变恢复过程,在静电计上测量了高阻阻值随退火温度的变化。根据实验结果,讨论了砷化镓中质子注入的射程Rp,电子阻止本领Sn(E)和核阻止本领Se(E),以及质子注入形成高阻和退火恢复的机理。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7E08283A3B6FE285E1B563F5118C6AE9&yid=8C8371356FB4C85C&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=94C357A881DFC066&sid=7AA74D31F1FF2DCE&eid=C36EC077A8A90308&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0